GlobalFoudaries中国布局生变量,成都厂寻求新投资者加入,新CEO宣称“敌人来入股也不排斥”

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GlobalFoudaries中国布局生变量,成都厂寻求新投资者加入,新CEO宣称“敌人来入股也不排斥”
麻省理工科技评论 2018年5月19日

2018年5月19日

近期的GlobalFoudaries充斥着新人事、新气象,出身IBM体系的新上任CEO Tom Caulfield显然对于高端FinFET技术充满浓厚兴趣。
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近期的GlobalFoudaries充斥着新人事、新气象,出身IBM体系的新上任CEO Tom Caulfield显然对于高端FinFET技术充满浓厚兴趣。

正当国内不断加码资金、寻找人才、突破技术/IP藩篱,加大力度投资在集成电路产业的同时,一座位于四川、中美战略合资的12寸晶圆厂投资项目却悄悄起了变化,GlobalFoudaries 前两年精心打造的中国首座12寸厂落户于成都,今年下半将移入机台设备,但日前却传出该厂欲找买主接手,或是引进合作伙伴投资,甚至不排斥让“敌人”进驻,这当中是发生了什么事?


外企在国内集成电路产业具举足轻重之位,前五大拿三席

GlobalFoudaries 前两年看好国内芯片市场商机,欲吸引本土芯片客户下单的机会,积极打造中国第一座12寸晶圆厂,成为GlobalFoudaries除了美国纽约、德国德累斯顿、新加坡三地以外的第四个生产基地。

根据调查,2017年国内前五大集成电路制造公司中,除了中芯国际和华虹半导体之外,其他三名全是外商,位居龙头的是韩国三星西安厂,第三名是SK海力士无锡厂,第四名是英特尔大连厂,可见外企在国内发展集成电路产业的道路上,有着举足轻重的地位。 一般来说,外企来国内设立晶圆厂,除了看中政府优渥的补助资金条件外,外企更是希望能借助在国内设厂,吸引众多芯片公司过来投单,更趁势掌握新创芯片公司的崛起趋势。


GlobalFoudaries砸百亿美元设立中国首座12寸厂引进FD-SOI技术

GlobalFoudaries在与成都市合作兴建12寸厂之前,原本是打算进军重庆,但后来投资重庆的计划告吹,GlobalFoudaries转战成都,与市政府合资成立在国内的首座12寸厂“Fab11”。 根据GlobalFoudaries规划,该项总投资金额高达100 亿美元,预计分为两期进行,第一期是导入主流 的CMOS 制程,预计 2018 年底投产,而第二期是规划采用GlobalFoudaries的22纳米FD-SOI技术(称为22FDX)生产,预计 2019 年第四季度投产。 

不过,近期的GlobalFoudaries充斥着新人事、新气象,出身IBM体系的新上任CEO Tom Caulfield显然对于高端FinFET技术充满浓厚兴趣,有意挑过5纳米技术节点,直接挑战3纳米技术,传出对于成都规划的FD-SOI技术较没兴趣。

更值得玩味的是,GlobalFoudaries成都厂去年底才完成封顶,然近期传出计划有变,正在积极寻找策略合作伙伴入股成都厂,或接手该座晶圆厂,行业内甚至传出紫光集团旗下的长江存储,以及韩国半导体大厂三星,都是GlobalFoudaries接洽的对象。

成都厂被视为是GlobalFoudaries深耕国内半导体产业的重要基地,也是GlobalFoudaries在国内的首座晶圆厂,提出FD-SOI技术,是有别于摩尔定律的主流FinFET技术派别,且FD-SOI适合超低功耗、对于成本敏感的应用领域,特别锁定国内的物联网、车用电子、5G等市场。

跟随GlobalFoudaries成都厂和FD-SOI技术布局,GlobalFoudaries也投资一亿美元在成都打造世界级的FD-SOI系统生态圈,集合知识产权开发、集成电路设计中心,孵化成都本地的无晶圆企业,成为全球FD-SOI技术的代言人。该厂是在去年二月动工,十月完成封顶,预计今年下半将搬入机台设备,不过,近期GlobalFoudaries内部对于成都厂的计划有不同想法。

近期行业内人士透露,GlobalFoudaries接触不少半导体同行,传出长江存储、三星、联电等都有被接洽,寻求接手或投资其成都厂,让不少人感到意外,是否GlobalFoudaries借助成都厂深耕国内市场的计划有变?


GlobalFoudaries新CEO表示欢迎客户、对手入股成都厂

该传言出现不久后,GlobalFoudaries 新 CEO Tom Caulfield在接受外电专访时透露,成都厂的角色目标,是要 “make it China’s factory, not just ours”,并表示欢迎客户来入股投资,甚至也欢迎竞争对手来投资,打造多方合作的商业模式,而不是由GlobalFoudaries自己找产品把该厂填满。他的的一番谈话应验了 GlobalFoudaries 成都厂传言多时的寻求策略合作伙伴入股计划。

同时,Caulfield在接受外电专访时,也表示非常认同当初GlobalFoudaries和三星合作14纳米的商业模式,由三星提供14纳米的技术授权给GlobalFoudaries,两者形成策略联盟关系,提供给客户除了台积电以外的晶圆代工厂做更多选择。 

行业内人士分析,会传出GlobalFoudaries成都厂接触三星,是因为三星对FD-SOI技术也感兴趣,已经推出28纳米的FD-SOI技术,并将推出18纳米,或许是因为有相同的技术,因此招手三星来入股是合理的解决方案。

目前GlobalFoudaries提出的22纳米FD-SOI技术已经在德国德累斯顿12寸厂量产,根据GlobalFoudaries对于成都厂的规划,第一阶段会先导入0.13微米和0.18微米节点,第二阶段再导入FD-SOI技术,因此,对成都厂有兴趣的策略投资人,可能必须绑定FD-SOI技术,之后再支付给德国厂技术授权金。 

GlobalFoudaries过去几年花很多心力宣传FD-SOI技术和成都新厂, 如今却决定引进合作伙伴,而非自己经营该厂,究竟是什么原因?业界认为,财务问题是其中之一。另一方面,新人事、新气象,新上任的CEO是传统IBM体系出身,更是主流FinFET技术的拥护者,对于旁支的FD-SOI技术并不打算投入太多,因此,在新CEO上任后,GlobalFoudaries是否继续支持FD-SOI技术,一直是行业内人士的疑问。除了中国的投资策略转变,Caulfield显然对于高端技术有着浓厚兴趣。 


GlobalFoudaries想建全新3纳米晶圆厂 寻求美国联邦基金援助

他日前指出,希望寻求财务支持来进入下一个技术节点,应该是3纳米技术,并且要盖新的晶圆厂,希望这个新的3纳米技术晶圆厂,能和正要进入量产的7纳米技术的纽约Malta Fab 8晶圆厂搭配,但这需要美国联邦基金的财务支持,而GlobalFoudaries的3纳米技术留在美国,对于国家安全和创造就业机会都会很有利。

他这一番谈话,也代表GlobalFoudaries将再度以技术跳级的方式往前推进,过去GlobalFoudaries也曾跳过10纳米节点,直接从14纳米挑到7纳米节点,这次他将再领导GlobalFoudaries的技术蓝图跳过5纳米,直接从7纳米转进3纳米技术。 

他表示,不认为5纳米技术节点具备吸引力,并不足以吸引够多的芯片公司来投资,这些芯片公司需要的是像3纳米这样的技术,才能完整的展现性能。

Caulfield日前也和母公司阿布达比的穆巴达拉投资公司,到美国华盛顿去游说,希望能获得美国联邦基金的全力支持,争取GlobalFoudaries兴建3纳米晶圆厂的机会和充足资金。这等于宣示GlobalFoudaries在3纳米节点上不会缺席,会和英特尔、台积电、三星共同进入3纳米的战局,这时间点会在2020年之后。 


全球5纳米、3纳米战争 2020年之后开战

台积电的5纳米晶圆十八厂已经正式动土,计划5纳米将全面导入极紫外光EUV技术,预计2019年上半年进行风险性试产,2020年正式量产,计划2020年之后再进3纳米节点的投资,单单是3纳米技术,预计投资金额就高达260亿美元。 

根据台积电规划,今年进入量产的7纳米节点,最具承先启后的划时代意义,因为台积电计划在第一代的7纳米节点,以及第二代的7纳米plus节点上分别采用浸润式微影和EUV技术,将EUV技术的良率极佳化后,再于5纳米上全面将导入EUV技术,让5纳米展现最佳工艺表现。

GlobalFoudaries在新的CEO上台后,在高端技术上展现十足野心,要争取一张进入3纳米竞赛的门票,能否获得美国政府的资金挹注,是最大关键!然GlobalFoudaries整个策略蓝图的转变,也意外牵动在国内成都厂的布局规划。这几年我们看到国内集成电路产业投入巨资,每个城市包含上海、合肥、南京、武汉都积极想要打造成为“芯片之城“,成都也有属于自己的”芯梦想“,未来与GlobalFoudaries之间的合作将怎么变化,大家都很好奇。

观察最早有SK海力士进驻无锡,在当地生产DRAM芯片,之后英特尔进驻大连,原本是生产处理器,前几年也转换成生产3DNAND芯片,而三星更是大规模在西安打造“芯城”,生产最先进的3D NAND技术,不可否认地,国内发展集成电路产业的路上,需与这些外企大厂互补式的前进,外企也确实占有举足轻重的地位,未来等待国内半导体厂的羽翼渐丰,才能拉近彼此竞争距离。

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